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台积电发力“硅基氮化镓”元件受托业务_华体会体育官网
2021-10-27 08:10
本文摘要:台湾台积电(TSMC)在ISPSD2016上公开发表了代为生产服务的蓝图及批量生产元件的特性等。该公司将使用在直径150mm(6英寸)的硅基板上构成GaN层的硅基氮化镓(GaNonSi)技术生产GaN晶体管。 台积电想积极开展代为生产的GaN晶体管有三种类型:(1)常开型(NormalOn)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(NormalOff)。 按耐压强弱来分有40V、100V和650V产品。 其中,耐压650V的常关型HEMT已开始代为生产。

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台湾台积电(TSMC)在ISPSD2016上公开发表了代为生产服务的蓝图及批量生产元件的特性等。该公司将使用在直径150mm(6英寸)的硅基板上构成GaN层的硅基氮化镓(GaNonSi)技术生产GaN晶体管。  台积电想积极开展代为生产的GaN晶体管有三种类型:(1)常开型(NormalOn)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(NormalOff)。

按耐压强弱来分有40V、100V和650V产品。  其中,耐压650V的常关型HEMT已开始代为生产。台积电在演说中讲解了该元件的特性。在运营时导通电阻不会增高的瓦解(Collapse)特性方面,仅有为运营前电阻值的1.3~1.4倍。

  此外,关于常关型HEMT,台积电将于2016年6月开始代为生产耐压100V的产品。关于常开型HEMT,该公司预计从2016年9月开始代为生产耐压100V的产品。

常开型MISFET方面,预计从2016年6月开始代为生产耐压650V的产品和耐压100V的产品。  目前台积电设想用于直径150mm的硅基板,将来还想用于更大尺寸的基板。该公司的演讲者回应,具体情况不便透漏,3年后或许可以用于200mm(8英寸)基板。


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